Le carbure de silicium est produit par un procédé impliquant la réaction électrochimique de la silice (SiO2) sous forme de quartz mélangée à du carbone (C) sous forme de coke de pétrole brut. Le mélange stoechiométrique réagit dans un four à résistance électrique à une température allant jusqu’à 2500 °C pour produire des cristaux de haute qualité. Le procédé est une technologie de grand four avec une électrode en graphite au centre du four. Les gros cristaux sont ensuite séparés, broyés, nettoyés des impuretés magnétiques dans des séparateurs magnétiques à haute intensité et classés en fractions de taille étroite pour s’adapter à l’utilisation finale.
ANALYSE CHIMIQUE TYPIQUE | PROPRIÉTÉS PHYSIQUES TYPIQUES | ||
SiC | ≥ 98 % | Dureté: | Mohs : 9,15 |
SiO2 | ≤1% | Point de fusion: | Sublimes at 2250 ℃ |
H2O3 | ≤ 0,5 % | Température maximale de service : | 1900℃ |
Fe2O3 | ≤ 0,3 % | Densité spécifique : | 3,2-3,45 g/cm3 |
FC | ≤ 0,3 % | Masse volumique apparente (LPD) : | 1,2-1,6 g/cm3 |
Contenu magnétique | ≤ 0,02 % | Couleur: | Noir |
Forme des particules : | Hexagonal |
Distribution granulométrique JIS de micropoudre de carbure de silicium noir.
Taille de grain JIS | D0 (micron) | D3 (micron) | D50 (microns) | D94 (micron) |
#240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 57,0±3,0 | ≥ 40 |
#280 | ≤ 112 | ≤ 87 | 48,0±3,0 | ≥ 33 |
#320 | ≤ 98 | ≤ 74 | 40,0±2,5 | ≥ 27 |
#360 | ≤ 86 | ≤ 66 | 35,0±2,0 | ≥ 23 |
#400 | ≤ 75 | ≤ 58 | 30,0±2,0 | ≥ 20 |
#500 | ≤ 63 | ≤ 50 | 25,0±2,0 | ≥ 16 |
#600 | ≤ 53 | ≤ 41 | 20,0±1,5 | ≥ 13 |
#700 | ≤ 45 | ≤ 37 | 17,0±1,5 | ≥ 11 |
#800 | ≤ 38 | ≤ 31 | 14,0±1,0 | ≥ 9,0 |
#1000 | ≤ 32 | ≤ 27 | 11,5.±1,0 | ≥ 7,0 |
#1200 | ≤ 27 | ≤ 23 | 9,5±0,8 | ≥ 5,5 |
#1500 | ≤ 23 | ≤ 20 | 8,0±0,6 | ≥ 4,5 |
#2000 | ≤ 19 | ≤ 17 | 6,7±0,6 | ≥ 4,0 |
#2500 | ≤ 16 | ≤ 14 | 5,5±0,5 | ≥ 3,0 |
#3000 | ≤ 13 | ≤ 11 | 4,0±0,5 | ≥ 2,0 |
#4000 | ≤ 11 | ≤ 8,0 | 3,0±0,4 | ≥ 1,8 |